800V N Channel MOSFET

RS8N80F是瑞森采用新型的横向变掺杂技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过特殊的耐压环和晶胞设计，开发出耐压更高，导通内阻更低的超高压MOS管。广泛应用于AC/DC开关电源，智能电表，工业开关电源，电力系统等。 VDS =800V,ID =8A\nRDS(ON) <1.6Ω @ VGS = 10V\n抗冲击能力强\n较低的导通电阻\n100%的UIS测试\n;

REASUNOS

瑞森半导体

Advanced MOSFET process technology

文件：537 Kbytes 页数：8 Pages

SILIKRON

新硅能微电子

800V N-Channel MOSFET

文件：1.18761 Mbytes 页数：7 Pages

Good-Ark

固锝电子

Advanced Power MOSFET

FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ VDS= 800V Low RDS(ON) : 1.000 W(Typ.)

文件：258.04 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体