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SBE807-HF	文件：915.73 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowswitchingnoise. ●Lowreversecurrent ●Highfrequencyrectification ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesaPb−FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SBE807-TL-E	文件：764.2 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowswitchingnoise •Lowreversecurrent(VR=16V,IRmax=15µA) Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,andchoppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE807-TL-W	文件：764.2 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowswitchingnoise •Lowreversecurrent(VR=16V,IRmax=15µA) Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,andchoppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE807-TL-W	文件：146.3 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiode30V,1A,LowIR Features •LowSwitchingNoise •LowReverseCurrent(VR=16V,IRMax=15A) •ThisDeviceisPb−FreeandHalideFree Applications •HighFrequencyRectification(SwitchingRegulators,Converters, andChoppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SDR807	文件：39.89 Kbytes Page：2 Pages	100AMP50-1200VOLTS60nsecULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR807	文件：103.62 Kbytes Page：2 Pages	100A,60nsec,50-1100VUltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR807R	文件：103.62 Kbytes Page：2 Pages	100A,60nsec,50-1100VUltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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详细参数

型号：
RS807M
功能描述：
桥式整流器 RS-8M 8.0A 1000V
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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