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SBE807	文件：764.2 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Features • Low switching noise • Low reverse current (VR=16V, IR max=15µA) Applications • High frequency rectification (switching regulators, converters, and choppers) 文件：764.2 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE807	文件：146.3 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode 30 V, 1 A, Low IR Features • Low Switching Noise • Low Reverse Current (VR = 16 V, IR Max=15 A) • This Device is Pb−Free and Halide Free Applications • High Frequency Rectification (Switching Regulators, Converters, and Choppers) 文件：146.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE807	文件：56.02 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier 30V, 1.0A Rectifier Features • Low switching noise. • Low reverse current (VR=16V, IR max=15μA). Applications • High frequency rectification (switching regulators, converters, and choppers). 文件：56.02 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SBE807	文件：908.31 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes ■ Features ● Low switching noise. ● Low reverse current ● High frequency rectification 文件：908.31 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SBE807	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基势垒整流器，30V，1A，低 IR SBE807 is Schottky Barrier Diode, 30V, 1A, Low IR for High frequency rectification Applications. • Low switching noise\n• Low reverse current (VR=16V, IR max=15A);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE807_V01	文件：146.3 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode 30 V, 1 A, Low IR Features • Low Switching Noise • Low Reverse Current (VR = 16 V, IR Max=15 A) • This Device is Pb−Free and Halide Free Applications • High Frequency Rectification (Switching Regulators, Converters, and Choppers) 文件：146.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE807-HF	文件：915.73 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes ■ Features ● Low switching noise. ● Low reverse current ● High frequency rectification ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：915.73 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SBE807-TL-E	文件：764.2 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Features • Low switching noise • Low reverse current (VR=16V, IR max=15µA) Applications • High frequency rectification (switching regulators, converters, and choppers) 文件：764.2 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE807-TL-W	文件：764.2 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Features • Low switching noise • Low reverse current (VR=16V, IR max=15µA) Applications • High frequency rectification (switching regulators, converters, and choppers) 文件：764.2 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE807-TL-W	文件：146.3 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode 30 V, 1 A, Low IR Features • Low Switching Noise • Low Reverse Current (VR = 16 V, IR Max=15 A) • This Device is Pb−Free and Halide Free Applications • High Frequency Rectification (Switching Regulators, Converters, and Choppers) 文件：146.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Configuration：
Dual
VRRM Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.53
IRM Max (µA)：
15
IO(rec) Max (A)：
1
IFSM Max (A)：
10
trr Max (ns)：
10
Cj Max (pF)：
27
Package Type：
CPH-5

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