RS7N65MD中文资料650V N Channel MOSFET数据手册REASUNOS规格书
RS7N65MD规格书详情
描述 Description
RS7N65MD 是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。
特性 Features
• VDS =650V,ID =7A
• RDS(ON) <1.4Ω @ VGS = 10V
• 抗冲击能力强
• 较低的导通电阻
• 100%的UIS测试
技术参数
- 制造商编号
：RS7N65MD
- 生产厂家
：REASUNOS
- ID(A)
：7
- VDSS(V)
：650
- RDS(on) Typ(Ω)
：1.1
- RDS(on) Max(Ω)
：1.4
- Application
：LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源
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