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RS6L090BG	文件：2.87295 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RS6L090BG；Package：HSOP8；Nch 60V 90A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package (HSOP8) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100 Rg and UIS tested Application Switching 文件：2.87295 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RS6L090BG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 90A, HSOP8, 功率MOSFET RS6L090BG是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。\n\n\n\n .singlenchmosmovie-wrap {max-width: 33%;} .singlenchmosmovie {position: relative;width:100%; height:0; padding-top: 56.25%; }.singlenchmosmovie-wrap iframe {position: absolute;top: 0;left: 0;width: 100%;height: 100%;}@media screen and (m • Low on - resistance\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
RS70B16G4S15G	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA153	RAYSON/晶存上传：深圳市展煜电子有限公司	RAYSON/晶存
RS70B32G4S15G	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA153	RAYSON/晶存上传：深圳市展煜电子有限公司	RAYSON/晶存
RS70B64G4M08G	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA153	RAYSON/晶存上传：深圳市展煜电子有限公司	RAYSON/晶存

技术参数

封装：
HSOP8 (Single)
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSOP8S (5x6)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
90
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0053
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0053
Total gate charge Qg[nC]：
14
Power Dissipation (PD)[W]：
73
Drive Voltage[V]：
4.5
Trr (Typ.)[ns]：
41
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.9x6 (t=1.1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RS6L090BG供应商更新时间2026-2-3 14:00:00

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