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RS4N65MD | 650V N Channel MOSFET RS4N65MD是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。 VDS =650V,ID =4A\nRDS(ON) <2.4Ω @ VGS = 10V\n抗冲击能力强\n较低的导通电阻\n100%的UIS测试; | REASUNOS 瑞森半导体 | REASUNOS | |
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：468.04 Kbytes 页数：9 Pages | SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司 | SISEMIC | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：467.85 Kbytes 页数：9 Pages | SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司 | SISEMIC | ||
4A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET ? 文件：1.18598 Mbytes 页数：11 Pages | WXDH 东海半导体 | WXDH |
技术参数
- ID(A)：
4
- VDSS(V)：
650
- RDS(on) Typ(Ω)：
2
- RDS(on) Max(Ω)：
2.4
- Application：
LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-3-17 11:06:00
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