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RS3L110AT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -60V -11A 功率MOSFET RS3L110AT是适用于开关和负载开关低导通电阻的MOSFET。 • Low on - resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RS3L110AT	文件：2.66807 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RS3L110AT；Package：SOP8；Pch -60V -11A Power MOSFET 文件：2.66807 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TS3L110	文件：468.19 Kbytes Page：18 Pages	QUAD SPDT HIGH BANDWIDTH 10/100 BASE T LAN SWITCH DIFFERENTIAL 8 CHANNEL TO 4 CHANNEL MULTIPLEXER 文件：468.19 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
TS3L110	文件：818.1 Kbytes Page：26 Pages	QUAD SPDT HIGH-BANDWIDTH 10/100 BASE-T LAN SWITCH DIFFERENTIAL 8-CHANNEL TO 4-CHANNEL MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER 文件：818.1 Kbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
TS3L110D	文件：468.19 Kbytes Page：18 Pages	QUAD SPDT HIGH BANDWIDTH 10/100 BASE T LAN SWITCH DIFFERENTIAL 8 CHANNEL TO 4 CHANNEL MULTIPLEXER 文件：468.19 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOP8
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-60
Drain Current ID[A]：
-11
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0112
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0101
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0112
Total gate charge Qg[nC]：
55
Power Dissipation (PD)[W]：
2
Drive Voltage[V]：
-4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
5x6 (t=1.75)

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