650V N Channel MOSFET

RS2N65F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。 • VDS =650V,ID =2A \n• 抗冲击能力强\n• 100%的UIS测试;

REASUNOS

瑞森半导体

Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type

DESCRIPTION RT2N65M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE ● Built-in bias resistor ( R1=10 KΩ) ● Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit、 switching circuit

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ISAHAYA

谏早电子

N-CHANNEL POWER MOSFET

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SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.

深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司

N-CHANNEL POWER MOSFET

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