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RS1E301GN	文件：2.63497 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RS1E301GN；Package：HSOP8；Nch 30V 80A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package (HSOP8) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100 Rg and UIS tested Application Switching 文件：2.63497 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RS1E301GN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 30V 80A 功率MOSFET RS1E301GN是采用大功率封装(HSOP8)、且具有低导通电阻特点的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on - resistance\n• High power package (HSOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen free\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
RS1FM-M3P/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 SMD	VISHAY/威世上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	VISHAY/威世
RS1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD DO-214AC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）	Fairchild
RS1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美

技术参数

封装：
HSOP8 (Single)
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSOP8S (5x6)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0022
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0017
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0022
Total gate charge Qg[nC]：
18.5
Power Dissipation (PD)[W]：
33
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.9x6 (t=1.1)

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