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RS1E200GN

4.5V驱动型 Nch MOSFET

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。 • Low on - resistance\n• High Power Package (HSOP8)\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant\n• Halogen Free\n• 100% Rg and UIS Tested;

ROHM

罗姆

RS1E200GN

Nch 30V 57A Power MOSFET

文件:2.50473 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

RS1E200AH

Nch 30V 20A Power MOSFET

文件:1.17556 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RS1E200BN

Nch 30V 20A Middle Power MOSFET

文件:2.71265 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    HSOP8 (Single)

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    HSOP8S (5x6)

  • Applications:

    Power Supply

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    30

  • Drain Current ID[A]:

    57

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.0047

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.0036

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.0047

  • Total gate charge Qg[nC]:

    7.8

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    25

  • Drive Voltage[V]:

    4.5

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Bare Die Part Number:

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    5x6 (t=1.1)

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更多RS1E200GN供应商 更新时间2025-10-6 17:06:00