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RRR030P03HZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -30V -3A 车载小信号MOSFET RRR030P03HZG是低导通电阻MOSFET，适合开关应用。 • Low on - resistance\n• Built-in G-S Protection Diode\n• Small Surface Mount Package (TSMT)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RRR030P03HZG	文件：2.58962 Mbytes Page：15 Pages	丝印：UA；Package：TSMT3；Pch -30V -3A Small Signal MOSFET 文件：2.58962 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RRR030P03TL	文件：483.33 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：483.33 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RRR030P03TL	文件：162.41 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：162.41 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSQ030P03	文件：449.76 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：449.76 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.085
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.095
Total gate charge Qg[nC]：
5.2
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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