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RQ3N060AT	文件：2.48924 Mbytes Page：13 Pages	丝印：N060AT；Package：HSMT8；Pch -80V -18A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High Power small mold Package (HSMT8) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100% Rg and UIS tested 5) Halogen Free Application Switching Motor drives 文件：2.48924 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3N060AT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -80V -18A, HSMT8, Power MOSFET RQ3N060AT is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for Switching and Motor drives applications. • Low on - resistance\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
T3N060TW	文件：3.14276 Mbytes Page：81 Pages	Tmax Molded Case Circuit Breakers 文件：3.14276 Mbytes 页数：81 Pages	ABB ABB集团	ABB
TS3N060TW	文件：3.14276 Mbytes Page：81 Pages	Tmax Molded Case Circuit Breakers 文件：3.14276 Mbytes 页数：81 Pages	ABB ABB集团	ABB

技术参数

封装：
HSMT8
包装形态：
Taping
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
RoHS：
Yes
Package Code：
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-80
Drain Current ID[A]：
-18
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.046
Total gate charge Qg[nC]：
32
Power Dissipation (PD)[W]：
20
Drive Voltage[V]：
-6
Trr (Typ.)[ns]：
35
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.9)

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更多RQ3N060AT供应商更新时间2025-10-28 14:01:00

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