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RQ3L270BJFRA	文件：2.68551 Mbytes Page：14 Pages	丝印：L270BJ；Package：HSMT8AG；Pch -60V -27A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High Power small mold Package (HSMT8AG) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.68551 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3L270BJFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3L270BJFRA is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body. • Low on-resistance\n• High Power small mold Package (HSMT8AG)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3L270BKFRA	文件：2.76079 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 27A Power MOSFET Features 1) Small high-powered package reduces mounting area by 64% at a maximum 2) Realization of high mounting reliability by original terminal and plating treatment 3) AEC-Q101 Qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.76079 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3L270BLFRA	文件：2.76059 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 27A Power MOSFET Features 1) Small high-powered package 2) Realization of high mounting reliability by original terminal and plating treatment 3) AEC-Q101 Qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.76059 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
HSMT8AG
包装形态：
Taping
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
RoHS：
Yes
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-60
Drain Current ID[A]：
-27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.041
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.037
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.041
Total gate charge Qg[nC]：
15.7
Power Dissipation (PD)[W]：
69
Drive Voltage[V]：
-4.5
Trr (Typ.)[ns]：
27
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.9)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RQ3L270BJFRA供应商更新时间2025-11-1 16:50:00

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