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RQ3E160AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 30V 16A 中功率MOSFET; · Low on -resistance.\n · Built-in G-S Protection Diode.\n · Small Surface Mount Package(HSMT8).\n · Pb-free lead plating; RoHS compliant; RQ3E160AD是适用于开关用途的小型表面安装封装的中功率MOSFET。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RQ3E160AD	文件：2.75181 Mbytes Page：12 Pages	丝印：E160AD；Package：HSMT8；Nch 30V 16A Middle Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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RQ3E160AD

文件：300 bytes

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Nch 30V 16A 中功率MOSFET; · Low on -resistance.\n · Built-in G-S Protection Diode.\n · Small Surface Mount Package(HSMT8).\n · Pb-free lead plating; RoHS compliant;

RQ3E160AD是适用于开关用途的小型表面安装封装的中功率MOSFET。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

RQ3E160AD

文件：2.75181 Mbytes

Page：12 Pages

丝印：E160AD；Package：HSMT8；Nch 30V 16A Middle Power MOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

技术参数

封装：
HSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
16
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.005
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.005
Total gate charge Qg[nC]：
25
Power Dissipation (PD)[W]：
2
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.75)

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