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RQ1A070ZPFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -12V -7A 中功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •低电压1.5V驱动型 Pch MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RQ1A070ZPFRA	文件：2.55287 Mbytes Page：14 Pages	丝印：YJ；Package：TSMT8；Pch -12V -7A Small Signal MOSFET 文件：2.55287 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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RQ1A070AP	文件：1.20646 Mbytes Page：7 Pages	1.5V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.20646 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ1A070ZP	文件：234.11 Kbytes Page：5 Pages	1.5V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：234.11 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TSMT8
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)：
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.011
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.008
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.019
Total gate charge Qg[nC]：
58
Power Dissipation (PD)[W]：
1.5
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3x2.8 (t=0.85)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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