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RP1E070XN	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RP1E070XN	文件：1.13016 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.13016 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ1E070RP	文件：671.19 Kbytes Page：12 Pages	Pch -30V -7A Power MOSFET 文件：671.19 Kbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ1E070RP	文件：351.37 Kbytes Page：6 Pages	4V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：351.37 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ1E070RPFRA	文件：797.88 Kbytes Page：14 Pages	Pch -30V -7A Power MOSFET 文件：797.88 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT6
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.0)
Applications：
Switching
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
7.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.028
Total gate charge Qg[nC]：
5.8
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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