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RN4906	文件：166.01 Kbytes Page：5 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit. AndDriverCircuitApplications. •IncludeingtwodevicesinUS6(ultrasuperminitypewith6leads) •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
RN4906FE	文件：285.64 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications. •TwodevicesareincorporatedintoanExtreme-Super-Mini(6pin)package. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermore	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
4906	文件：1.09623 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
4906	文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages	AdjustableRFInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4906-S	文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages	AdjustableRFInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AO4906	文件：123.88 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4906usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronous	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4906	文件：1.78577 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=8.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4906L	文件：123.88 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4906usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronous	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
CDLL4906	文件：68.36 Kbytes Page：2 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •12.8VOLTNOMINALZENERVOLTAGE±5 •LOWNOISE •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL4906A	文件：68.36 Kbytes Page：2 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •12.8VOLTNOMINALZENERVOLTAGE±5 •LOWNOISE •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
FTK4906	文件：806.44 Kbytes Page：5 Pages	40VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd
FTK4906D	文件：1.08228 Mbytes Page：5 Pages	40VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd
FTK4906Z	文件：1.157 Mbytes Page：5 Pages	40VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd
HT4906	文件：579.38 Kbytes Page：11 Pages	Li-ionBatteryCharger	HOTCHIPHotchip Technology Co.,Ltd 华芯深圳市华芯科技有限公司
KO4906	文件：1.78577 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=8.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
LA4906	文件：362.98 Kbytes Page：10 Pages	17-W,2-ChannelBTLAFHigh-EfficiencyPowerAmplifierforCarAudioSystems TheLA4906isaBTLtwo-channelpoweramplifierforuseincaraudiosystems.Itusesasignal-followingswitchingtechniqueinthepowersupplyfortheamplifieroutputstageandanewly-developednonlinearamplifierthatfeaturesnonlinearcharacteristicsinthesignalsystem. Thesefeatu	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
LM4906	文件：1.0805 Mbytes Page：21 Pages	1W,Bypass-Capacitor-lessAudioAmplifierwithInternalSelectableGain	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LM4906	文件：1.1156 Mbytes Page：22 Pages	1W,Bypass-Capacitor-lessAudioAmplifierwithInternalSelectableGain	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LM4906	文件：1.42982 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LM4906	文件：468.78 Kbytes Page：15 Pages	1W,Bypass-Capacitor-lessAudioAmplifierwithInternalSelectableGain	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司

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晶体管资料

型号：
RN4906
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P/N+R
性质：
表面帖装型（SMD）_RN2006+RN1006
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0

详细参数

型号：
RN4906
制造商：
Toshiba America Electronic Components

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	RN4906		2015+		2000	公司现货库存	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	RN4906	TOSHIBA/东芝		SOT363	7906200		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	RN4906	TOSHIBA	2008++	SOT70-6/SMD	45000	新进库存/原装	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	RN4906	TOSHBA	2017+	SOT23-6	32156	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	RN4906	TOSHIBA	22+	SOT-363	4897	绝对原装!现货热卖!	询价
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司	RN4906	TOSHIBA	2020+	原厂封装	350000	100%进口原装正品公司现货库存	询价
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深圳兆威电子有限公司	RN4906	TOSHIBA	23+	SOT-363	63000	原装正品现货	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	RN4906		23+	N/A	36400	正品授权货源可靠	询价

更多RN4906供应商更新时间2024-4-28 11:39:00

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