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RN4609	文件：408.5 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
4609	文件：44.45 Kbytes Page：1 Pages	HighQ,highself-resonantfrequency SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
4609	文件：340.26 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®-TiteEMCBrassLiquidTightCordgrips	Heyco Heyco
4609H-LF	文件：61.83 Kbytes Page：1 Pages	Networks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4609M-LF	文件：61.83 Kbytes Page：1 Pages	Networks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4609-RC	文件：108.28 Kbytes Page：1 Pages	VarnishedChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4609-RC	文件：108.28 Kbytes Page：1 Pages	HighQ,highself-resonantfrequency	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4609X	文件：123.73 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmConformalSIP Features ■Leadfreeversionavailable(seeHowtoOrder“Termination”option) ■RoHScompliant(leadfreeversion)* ■LowprofileiscompatiblewithDIPs ■Wideassortmentofpinpackagesenhancesdesignflexibility ■Ammo-pakpackagingavailable ■Recommendedforrosinfluxand	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4609X	文件：220.62 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmConformalSIPsLowprofileiscompatiblewithDIPsAmmo-pakpackagingavailable Features ■Leadfreeversionavailable(seeHowtoOrder“Termination”option) ■RoHScompliant(leadfreeversion)* ■LowprofileiscompatiblewithDIPs ■Wideassortmentofpinpackagesenhancesdesignflexibility ■Ammo-pakpackagingavailable ■Recommendedforrosinfluxand	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AO4609	文件：656.25 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4609usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlow gatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications.StandardProductAO4609isPb-free(meetsROHS&Sony	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4609	文件：1.76277 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=8.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4609	文件：690.95 Kbytes Page：12 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
AO4609-HF	文件：2.41207 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=8.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4609L	文件：690.95 Kbytes Page：12 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CLA4609	文件：402.69 Kbytes Page：9 Pages	SiliconLimiterDiodesandCeramicHermeticPackagedDevices Features Establishedlimiterdiodeprocess Highpower,mid-range,andcleanupdesigns Lowinsertionloss:0.1dB@10GHz Peakpowerhandlingto+74dBm Ultralowspikeleakagepower TightcontrolofIlayerbasewidth	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司
KO4609	文件：1.76277 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=8.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KO4609-HF	文件：2.41207 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=8.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
LTM4609	文件：2.69609 Mbytes Page：28 Pages	SynchronousBoost關ModuleRegulatorwithInput-OutputShortProtection DESCRIPTION TheLTM®4656isacompletehighefficiencyboostµModule®(powermodule)regulatorwiththeswitchingcontroller,powerFETs,inductor,andallsupportingcomponents.Onlyafewinputandoutputcapacitorsareneeded.Operatingoveraninputvoltagerangeof4.5Vto28V,theLTM4656s	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
LTM4609	文件：3.83076 Mbytes Page：26 Pages	36VIN,12AStep-Up/Step-DownBuck-BoostμModuleRegulator DESCRIPTION TheLTM®4712isahighefficiencybuck-boostμModule ®(micromodule)regulator.Theswitchingcontroller, powerswitches,inductorandsupportcomponentsare includedinthepackage.Thecompletedesignrequires onlyafewexternalcomponents,includingaresistorto setfrequenc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
LTM4609	文件：299.15 Kbytes Page：24 Pages	36VIN,34VOUTHighEfficiencyBuck-BoostDC/DC關Module	LINERLinear Technology 线性技术公司

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晶体管资料

型号：
RN4609
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P/N+R
性质：
表面帖装型（SMD）_RN2009+RN1009
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0

详细参数

型号：
RN4609
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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