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RN2961	文件：271.14 Kbytes Page：7 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：271.14 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2961	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Parallel)\nComplementary Product：RN1961\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2961FE	文件：558.9 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications • Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufacture of ever more 文件：558.9 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2961CT	文件：219.26 Kbytes Page：8 Pages	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 文件：219.26 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2961FS	文件：178.1 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：178.1 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2961FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Parallel)\nComplementary Product：RN1961FE\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2961FS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Parallel)\nComplementary Product：RN1961FS\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current (Q1) IC -0.05 A \nCollector Current (Q2) IC -0.05 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -20 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

晶体管资料

型号：
RN2961
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Package name：
SOT-363 (US6)
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Parallel)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q2VCEO (Max)(V)：
-50
Q2IC (Max)(A)：
-0.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市胜彬电子有限公司	RN2961	TOSHIBA	22+	SOT-153	3000	原装正品,支持实单	询价
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