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RN2908FE	文件：85.85 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •TwodevicesareincorporatedintoanExtreme-Super-Mini(6-pin)package. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. Reducingthepartscountenablesthemanufactureofevermorecompac	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
AM2908	文件：595.14 Kbytes Page：13 Pages	OneChannelH-BridgeDrMOS FeaturesandBenefits LowestRDS(ON)=45mΩ 60VAbsoluteMaximumVoltage 4.5AMaximumContinuousCurrent. LowestRDS(ON)andSmallPackage 10~50VOperatingVoltageRange OvercurrentProtection ThermalShutdownProtection UndervoltageLockout FaultIndicatorPin LowStandbyCurre	AMTEKAMtek SEMICONDUCTORS CO., LTD 晶致半导体晶致半导体股份有限公司	AMTEK
AMS2908	文件：63.54 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS2908	文件：65.8 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTheAMS2908seriesofadjustableandfixedvoltageregulatorsaredesignedtoprovide800mAoutputcurrentandtooperatedownto1Vinput-to-outputdifferential.Thedropoutvoltageofthedeviceisguaranteedmaximum1.3Vatmaximumoutputcurrent,decreasingatlowerlo	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
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AOD2908	文件：1.80965 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD2908	文件：1.77516 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD2908	文件：272.73 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD2908	文件：834.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET Features VDS=100V,ID=78A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
RN2908FE
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT process)(Bias Resistor built-in Transistor)

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