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RN2709JE	文件：340.91 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSZ-2709	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2709HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SOM-A2709	文件：383.08 Kbytes Page：2 Pages	SOMwithMarvellXScalePXA270processorWindowsCE5.0	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
TZ2709A	文件：95.69 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.520.945MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforcustomerforuseinwirelesscommunications devices,espec	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UC2709	文件：178.82 Kbytes Page：5 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC2709	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2709DW	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2709N	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UPA2709AGR	文件：344 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709AGRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Lo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RN2709JE
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RN2709JE供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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