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RN2511	文件：172.05 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit • Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) • With built-in bias resistors. • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment. • Various resistance 文件：172.05 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2511	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN1511\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RSZ-2511	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
RSZ-2511HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
RTQ2511-QA	文件：874.36 Kbytes Page：11 Pages	14V, 2A IQ, 200mA LDO Regulator General Description The RTQ2511 is a low-dropout (LDO) voltage regulator with enable function offering benefits of up to 14V input voltage, low-dropout, low-power operation, and miniaturized packaging. The features of low quiescent current as low as 2μA and zero disable current is ideal for 文件：874.36 Kbytes 页数：11 Pages	RICHTEK 立锜科技	RICHTEK

晶体管资料

型号：
RN2511
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.3

技术参数

Package name：
SOT-25 (SMV)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q2VCEO (Max)(V)：
-50
Q2IC (Max)(A)：
-0.1

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