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RN2507	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN1507\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2507	文件：173.48 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：173.48 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RS2507M	文件：30.53 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 25 Amperes) 文件：30.53 Kbytes 页数：2 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
TGA2507-EPU	文件：218.34 Kbytes Page：10 Pages	12-18 GHz Ku-Band 3-Stage Driver Amplifier Key Features • 12-18 GHz Bandwidth • 28 dB Nominal Gain • 20 dBm P1dB • Bias: 5,6,7 V, 80 ± 10 mA Self Bias • 0.5 um 3MI mmW pHEMT Technology • Chip Dimensions: 1.80 x 0.83 x 0.1 mm (0.071 x 0.031 x 0.004) in Primary Applications • Point to Point Radio • Military Ku-Band • Ku-Ba 文件：218.34 Kbytes 页数：10 Pages	TRIQUINT	TRIQUINT
TGA2507-SM	文件：113.58 Kbytes Page：10 Pages	Ku-Band 3-Stage Driver Packaged Amplifier Key Features • 11-17 GHz Bandwidth • 25 dB Nominal Gain • 17 dBm Norminal P1dB • Bias: 5 - 7 V, 75 mA Self Bias • PHEMT Technology • Package Dimensions: 4.0 x 4.0 x 0.9 mm (0.157 x 0.157 x 0.035 in) Primary Applications • Point to Point Radio • Military Ku-Ba 文件：113.58 Kbytes 页数：10 Pages	TRIQUINT	TRIQUINT

晶体管资料

型号：
RN2507
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.3

技术参数

Package name：
SOT-25 (SMV)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q2VCEO (Max)(V)：
-50
Q2IC (Max)(A)：
-0.1

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