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RN2502中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

RN2502

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2026-2-4 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    RN2502

  • 别名:

    RN2502三极管、RN2502晶体管、RN2502晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_差分放大器射极输出 (Dual)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    5

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-21

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.8

  • wtest:

    0.3

RN2502规格书详情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:PNP×2
Internal Connection:2-in-1 (Common emitter)
Complementary Product:RN1502
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current (Q1) IC -0.1 A
Collector Current (Q2) IC -0.1 A
Collector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V
Collector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V

技术参数

  • 制造商编号

    :RN2502

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name

    :SOT-25 (SMV)

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.8 x 1.1

  • Number of pins

    :5

  • Surface mount package

    :Y

  • Polarity

    :PNP x 2

  • Internal Connection

    :2-in-1 (Common emitter)

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)

    :10

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)

    :10

  • Q1VCEO (Max)(V)

    :-50

  • Q1IC (Max)(A)

    :-0.1

  • Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)

    :10

  • Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)

    :10

  • Q2VCEO (Max)(V)

    :-50

  • Q2IC (Max)(A)

    :-0.1

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