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RN2426分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

RN2426
厂商型号

RN2426

参数属性

RN2426 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

功能描述

PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS)

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

332.76 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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RN2426规格书详情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

• High current type (IC(MAX) = −800mA)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

• Low VCE (sat)

• Complementary to RN1421~RN1427

产品属性

  • 产品编号:

    RN2426(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 100mA,1V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

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