RN2422分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2422 |
| 参数属性 | RN2422 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI |
| 功能描述 | PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
332.76 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-30 15:48:00 |
| 人工找货 | RN2422价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2422规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
• High current type (IC(MAX) = −800mA)
• With built-in bias resistors
• Simplify circuit design
• Reduce a quantity of parts and manufacturing process
• Low VCE (sat)
• Complementary to RN1421~RN1427
产品属性
- 产品编号：
RN2422TE85LF
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
65 @ 100mA，1V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
S-Mini
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
21+ |
00+ |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
4500 |
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TOSHIBA |
NA |
8560 |
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询价 | |||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-23 |
25000 |
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TOSHIBA |
23+ |
SC-59 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-23 |
4897 |
绝对原装!现货热卖! |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
18+ |
SOT23-3 |
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全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23-3 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT23-3 |
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SOT-23 |
23+ |
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