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DS2401Y	文件：151.22 Kbytes Page：10 Pages	SiliconSerialNumber FEATURES Upgradeanddrop-inreplacementforDS2400 -Extended2.8to6.0voltagerange -MultipleDS2401scanresideonacommon1-Wirebus Unique,factory-laseredandtested64-bitregistrationnumber(8-bitfamilycode+48-bitserialnumber+8-bitCRCtester);guaranteednotwopar	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS2401Z	文件：151.22 Kbytes Page：10 Pages	SiliconSerialNumber FEATURES Upgradeanddrop-inreplacementforDS2400 -Extended2.8to6.0voltagerange -MultipleDS2401scanresideonacommon1-Wirebus Unique,factory-laseredandtested64-bitregistrationnumber(8-bitfamilycode+48-bitserialnumber+8-bitCRCtester);guaranteednotwopar	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS2401Z	文件：337.12 Kbytes Page：11 Pages	SiliconSerialNumberUnique,Factory-LaseredandTested64-Bit Description TheDS2401enhancedSiliconSerialNumberisalow-cost,electronicregistrationnumberthatprovidesanabsolutelyuniqueidentitywhichcanbedeterminedwithaminimalelectronicinterface(typically,asingleportpinofamicrocontroller).TheDS2401consistsofafactory-lasered	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS2401ZT	文件：337.12 Kbytes Page：11 Pages	SiliconSerialNumberUnique,Factory-LaseredandTested64-Bit Description TheDS2401enhancedSiliconSerialNumberisalow-cost,electronicregistrationnumberthatprovidesanabsolutelyuniqueidentitywhichcanbedeterminedwithaminimalelectronicinterface(typically,asingleportpinofamicrocontroller).TheDS2401consistsofafactory-lasered	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
EMH2401	文件：38.51 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •TheEMH2401incorporatesanN-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandultrahigh-speedswitching,therebyenablinghigh-densitymounting. •1.8Vdrive.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ESD2401QC	文件：1.55969 Mbytes Page：4 Pages	DFN1006Plastic-EncapsulateESDProtectionDiodes	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
ESD2401WT	文件：705.4 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressors	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
FVT-2401	文件：644.5 Kbytes Page：4 Pages	10/100BASE-TXto100BASE-FXSMFSCConverter,40km	LVL1 Level One	LVL1
GI2401	文件：79.66 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to200VoltsForwardCurrent-16.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Dualrectifierconstruction,positivecentertap ♦Glasspassivatedchipjunctions ♦Lowpowerloss ♦Highsurgecapability ♦Superfast	GE GE Industrial Company	GE
GI2401	文件：126.43 Kbytes Page：4 Pages	DualCommon-CathodeUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Foruseinhighfrequencyrectifie	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GI2401	文件：131.03 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Powerpack •Glasspassivatedpelletchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.,10sperJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GIB2401	文件：94.28 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Powerpack •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of245°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHE3 •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GIB2401	文件：94.64 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to200VoltsForwardCurrent-16.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Dualrectifierconstruction,positivecentertap ♦Glasspassivatedchipjunctions ♦Lowpowerloss ♦Highsurgecapability ♦Superfast	GE GE Industrial Company	GE
GIB2401	文件：96.5 Kbytes Page：4 Pages	DualCommon-CathodeUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Powerpack •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:fordefinitionsofcomplian	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GIF2401	文件：83.21 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to200VoltsForwardCurrent-16.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Dualrectifierconstruction,positivecentertap ♦Glasspassivatedchipjunctions ♦Lowpowerloss ♦Highsurgecapability ♦Superfast	GE GE Industrial Company	GE
GKN2401	文件：567.25 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
GLSAR2401	文件：765.84 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOIL짰SMTINDUCTORSANDTRANSFORMERS(PROFESSIONALGRADE)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
HMCT2401G	文件：209.7 Kbytes Page：2 Pages	SCREWMACHINESOCKETS&TERMINALSTRIPS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HMCT2401G	文件：114.17 Kbytes Page：1 Pages	SCREWMACHINESOCKETS&TERMINALSTRIPS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HMCT2401T	文件：114.17 Kbytes Page：1 Pages	SCREWMACHINESOCKETS&TERMINALSTRIPS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH

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详细参数

型号：
RN2401S,LF(D
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 Bias resistor built- in transistor(BRT)
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多RN2401S,LF(D供应商更新时间2024-5-21 8:24:00

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