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RN2318	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN1318\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2318(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
SI2318A	文件：2.09106 Mbytes Page：6 Pages	40V N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 40V ● ID = 5.6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.09106 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
SI2318A	文件：1.82855 Mbytes Page：6 Pages	SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS Features VDS (V) = 40V ID = 5.6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.82855 Mbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
SI2318CD	文件：239.06 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：239.06 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

Package name：
SOT-323 (USM)
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RN2318供应商更新时间2025-12-18 17:08:00

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