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RN2314中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

RN2314

参数属性

RN2314 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-30 20:00:00

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RN2314规格书详情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:PNP
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN1314
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC -0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V

技术参数

  • 产品编号:

    RN2314(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

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