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SI2306

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

SI2306

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS

MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

美科半导体美科半导体股份(香港)有限公司

SI2306A

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

Features VDS(V)=30V RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

SI2306A

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

Features VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

SI2306BDS

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI2306BDS

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI2306BDS

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI2306BDS

N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI2306DS

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES TrenchFET®PowerMOSFET 100RgTested

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI2306DS

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

详细参数

  • 型号:

    RN2306(TE85L,F)

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
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SOT-323
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TOSHIBA/东芝
24+
SOT-323
60000
全新原装现货
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更多RN2306(TE85L,F)供应商 更新时间2025-5-28 15:01:00