| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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RN2302 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | TOSHIBA | |
包装：卷带（TR） 封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：AUTO AEC-Q SINGLE PNP , R1=10KOH | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2302isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding2WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz | GHZTECHGHz Technology GHz Technology | GHZTECH | ||
P-CHANNELMOSFETN-CHANNELMOSFET | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 | KIA | ||
20VN-ChannelEnhancementMOSFET | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
NylonHoseClamps | Heyco Heyco | Heyco | ||
30VN-ChannelEnhancementMOSFET | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
HighCurrentToroidInductors | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | Bourns | ||
HighCurrentToroidInductors | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | Bourns | ||
HighCurrentToroidInductors | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | Bourns | ||
HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | Bourns | ||
HighCurrentToroidInductors | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | Bourns | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | ACE ACE Technology Co., LTD. | ACE | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | ACE ACE Technology Co., LTD. | ACE | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | ACE ACE Technology Co., LTD. | ACE | ||
N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | ACE ACE Technology Co., LTD. | ACE |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
DTA114EU,2SA1678,
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
.1
- wtest：
.4
详细参数
- 型号：
RN2302
- 功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 -100mA -50volts 10K x 10Kohms
- RoHS：
否
- 制造商：
ON Semiconductor
- 晶体管极性：
NPN/PNP
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
200 mA
- 最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V
- 集电极连续电流：
150 mA
- 功率耗散：
200 mW
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
16+ |
SOT-23 |
2500 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
TOSH |
92+ |
SOT23 |
4370 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
5000 |
公司存货 |
询价 | |||||
TOSHIBA |
13+ |
SOT-323 |
7500 |
特价热销现货库存 |
询价 | ||
TOSHIBA |
2017+ |
SOT323 |
45248 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
22+ |
SOT-323 |
4897 |
绝对原装!现货热卖! |
询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT323 |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
TOSHIBA |
2022 |
SOT323 |
1193 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT323 |
5200 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-323 |
30000 |
全新原装正品 |
询价 |
