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UM2106	文件：299.03 Kbytes Page：6 Pages	ATTENUATORANDPOWERPINDIODES2??30MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2106	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	PINDIODE DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2106B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2106D	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UPG2106	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2106TB	文件：155.75 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2106TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES •LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V,fRF=889to960MHz@	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2106TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2106TB	文件：247.61 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Operationfrequency:mPG2106TB:fopt=889to960MHz :mPG2110TB:fopt=1429to1453MHz •Supplyvoltage:mPG2106TB,mPG2110TB:VDD1,2=2.7to3.3V(3.0VTYP.) •Circuitcurrent:mPG2106TB,mPG2110TB:IDD=25mATYP.@VDD1,2=3.0V,VAGC=2.5V,Pout=+8dBm •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VN2106	文件：457.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2106N	文件：472.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

详细参数

型号：
RN2106F
功能描述：
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	RN2106F	TOSHIBA	24+	SOT-423	3000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RN2106F	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-523	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市联世界科技有限公司	RN2106F(TE85L,F)	TOSHIBA	24+/25+		4000	原装正品现货库存价优	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	RN2106LF(CT	Toshiba Semiconductor and Stor	25+	SC-75 SOT-416	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	RN2106MFV	TOSHIBA	17PB	QFN	8000	现货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	RN2106MFV	TOSHIBA	23+	SOT723	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	RN2106MFV	TOSHIBA/东芝	23+	NA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	RN2106MFV	TOSHIBA	24+	QFN	18560	假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款	询价

更多RN2106F供应商更新时间2025-7-18 15:30:00

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