RN2106ACT分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2106ACT |
| 参数属性 | RN2106ACT 封装/外壳为SC-101，SOT-883；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 |
| 功能描述 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
| 封装外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 文件大小 |
196.37 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-28 20:00:00 |
| 人工找货 | RN2106ACT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2106ACT规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
• Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication.
• Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost.
• Complementary to RN1101ACT to RN1106ACT
产品属性
- 产品编号：
RN2106ACT(TPL3)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-101，SOT-883
- 供应商器件封装：
CST3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
5350 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
TOSHIBA |
07+PB |
SOT23 |
2200 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
TOSHIBA |
07+ |
SOT723 |
8000 |
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TOSHIBA |
23+ |
NA |
2220 |
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询价 | ||
TOS |
2017+ |
NA |
28562 |
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询价 | ||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-523 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
880000 |
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询价 | ||
SOT-523 |
23+ |
NA |
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TOSHIBA |
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SOT23 |
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AUK |
2223+ |
SOT-523 |
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