RN2106ACT分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2106ACT |
| 参数属性 | RN2106ACT 封装/外壳为SC-101，SOT-883；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 |
| 功能描述 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
| 封装外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 文件大小 |
196.37 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-11 12:22:00 |
| 人工找货 | RN2106ACT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2106ACT规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
• Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication.
• Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost.
• Complementary to RN1101ACT to RN1106ACT
产品属性
- 产品编号：
RN2106ACT(TPL3)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-101，SOT-883
- 供应商器件封装：
CST3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
ROHS+Original |
NA |
2220 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
QFN |
18560 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-523 |
11200 |
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24+ |
N/A |
56000 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
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TOSHIBA |
25+23+ |
SOT23 |
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TOS |
1923+ |
NA |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
NA |
50000 |
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AUK |
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SOT-523 |
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TOSHIBA |
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SOT-523SC-75SSM |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 |
