RN2106(TE85L,F)说明书PDF资料市场行情第3页-114ic电子网

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TR2106SY	文件：255.77 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TW2106	文件：254.43 Kbytes Page：2 Pages	TW2106/TW2108EmbeddedPrecisionGPSL1Antenna	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UM2106	文件：299.03 Kbytes Page：6 Pages	ATTENUATORANDPOWERPINDIODES2??30MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2106	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	PINDIODE DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2106B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2106D	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UPG2106	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2106TB	文件：155.75 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2106TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES •LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V,fRF=889to960MHz@	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2106TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2106TB	文件：247.61 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Operationfrequency:mPG2106TB:fopt=889to960MHz :mPG2110TB:fopt=1429to1453MHz •Supplyvoltage:mPG2106TB,mPG2110TB:VDD1,2=2.7to3.3V(3.0VTYP.) •Circuitcurrent:mPG2106TB,mPG2110TB:IDD=25mATYP.@VDD1,2=3.0V,VAGC=2.5V,Pout=+8dBm •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RN2106(TE85L,F)
制造商：
Toshiba
功能描述：
PNP 50V 100mA
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Transistor, digital, PNP, RN2106(F)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RN2106(TE85L,F)供应商更新时间2025-5-3 14:00:00

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