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TPC-2106	文件：1.00099 Mbytes Page：5 Pages	IndustrialWindowsCETouchPanelComputers	NI National Instruments Inc.	NI
TR2106SY	文件：255.77 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TW2106	文件：254.43 Kbytes Page：2 Pages	TW2106/TW2108EmbeddedPrecisionGPSL1Antenna	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UM2106	文件：299.03 Kbytes Page：6 Pages	ATTENUATORANDPOWERPINDIODES2??30MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2106	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	PINDIODE DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2106B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2106D	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UPG2106	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2106TB	文件：155.75 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2106TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES •LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V,fRF=889to960MHz@	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2106TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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产品属性

产品编号：
RN2106(T5L,F,T)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SSM
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	RN2106(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	SC-75,SOT-416	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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