RN2105MFV分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2105MFV |
| 参数属性 | RN2105MFV 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
| 功能描述 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
206.92 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 11:01:00 |
| 人工找货 | RN2105MFV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2105MFV规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly cost.
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN1101MFV to RN1106MFV
产品属性
- 产品编号：
RN2105MFV,L3F(CT
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VESM
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-923 |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
NA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
15+ |
SOT723 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Toshiba |
21+ |
SOT |
3435 |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
询价 | ||
Toshiba |
23+ |
SOT |
5935 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
SOT-723 |
7785 |
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
SOT723 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
SOT-423 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
51000 |
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