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RN2103MFV分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

RN2103MFV
厂商型号

RN2103MFV

参数属性

RN2103MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

封装外壳

SOT-723

文件大小

206.92 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-1 16:42:00

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RN2103MFV规格书详情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

Ultra-small package, suited to very high density mounting

Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly cost.

A wide range of resistor values is available for use in various circuits.

Complementary to the RN1101MFV to RN1106MFV

产品属性

  • 产品编号:

    RN2103MFV,L3F(CT

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
22+
SOT-523
3000
原装正品,支持实单
询价
24+
5000
公司存货
询价
TOSHIBA
21+
03+(TE8
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
询价
TOSHIBA
23+
SOT523
50000
原装正品,假一罚十
询价
TOSHIBA
24+
423
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
TOSHIBA/东芝
22+
SOT523
25000
只做原装,原装,假一罚十
询价
Toshiba
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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原装
1923+
NA
9200
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询
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TOSHIBA
23+
SOT/323
12800
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TOSHIBA
16+
SOT-723
16000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价