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RN1708JE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN2708JE\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC 0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN1708JE	文件：100.24 Kbytes Page：4 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. 文件：100.24 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
UC1708	文件：486.18 Kbytes Page：13 Pages	Dual Non-Inverting Power Driver 文件：486.18 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
UPA1708	文件：59.23 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converters and power management switch. FEATURES • Low on-resistance RDS(on)1 = 18.0 mΩ (TYP.) (VGS = 10 V, ID = 3.5 A) RDS(on)2 = 28.0 mΩ (TYP.) (VGS = 4.5 V, ID = 3.5 A) • Low Ciss : Ciss = 730 pF (T 文件：59.23 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA1708G	文件：59.23 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converters and power management switch. FEATURES • Low on-resistance RDS(on)1 = 18.0 mΩ (TYP.) (VGS = 10 V, ID = 3.5 A) RDS(on)2 = 28.0 mΩ (TYP.) (VGS = 4.5 V, ID = 3.5 A) • Low Ciss : Ciss = 730 pF (T 文件：59.23 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

Package name：
SOT-553 (ESV)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
22
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
22
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q2VCEO (Max)(V)：
50
Q2IC (Max)(A)：
0.1

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