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RN1609	文件：181.28 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit • Including two devices in SM6 (super-mini-type with six (6) leads) • With built-in bias resistors. • Simplified circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment. • Various re 文件：181.28 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1609	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN×2\nInternal Connection：2-in-1 (Point-symmetrical)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC 0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RSZ-1609	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
RSZ-1609HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
S1609	文件：409.54 Kbytes Page：1 Pages	SKINTOP® SLM/SLRM Strain relief with metric thread Application advantage • The heavy duty SKINTOP® design provides great pullout strength and very reliable strain relief • Superior integrated locking mechanism includes an internal ratchet for vibration-proof protection • Multi-trapezoidal thread requires just one twist to tighten • Generous 文件：409.54 Kbytes 页数：1 Pages	LAPP 缆普	LAPP

晶体管资料

型号：
RN1609
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Package name：
SOT-26 (SM6)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Point-symmetrical)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
22
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
22
Q2VCEO (Max)(V)：
50
Q2IC (Max)(A)：
0.1

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