RN1444分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN1444 |
| 参数属性 | RN1444 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
396.05 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 10:39:00 |
| 人工找货 | RN1444价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN1444规格书详情
Muting And Switching Applications.
● High emitter-base voltage: VEBO = 25V (min)
● High reverse hFE: reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2V, IC = −4mA)
● Low on resistance: RON = 1Ω (typ.) (IB = 5mA)
● With built-in bias resistors
● Simplify circuit design
● Reduce a quantity of parts and manufacturing process
产品属性
- 产品编号：
RN1444ATE85LF
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 4mA，2V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 3mA，30mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
S-Mini
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
询价 | ||
TOSHIBA |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-153 |
30000 |
原装正品现货假一赔十 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
23 |
5000 |
公司存货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2410+ |
con |
9000 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT-153 |
65200 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-23 |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT23-5 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT23-5 |
30000 |
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TOSHIBA |
24+ |
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询价 |
