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RN1414	文件：272.41 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications ● With built-in bias resistors ● Simplified circuit design ● Reduced number of parts and simplified manufacturing process ● Complementary to RN2414 to RN2418 文件：272.41 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1414	文件：184.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：184.11 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1414	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2414\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN1414_07	文件：184.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：184.11 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1414,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
1
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多RN1414供应商更新时间2025-10-4 10:21:00

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