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RN1314分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

RN1314
厂商型号

RN1314

参数属性

RN1314 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 2

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

271.08 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-16 17:18:00

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RN1314规格书详情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

• Complementary to RN2314~RN2318

产品属性

  • 产品编号:

    RN1314,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    USM

  • 描述:

    PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SOT-323
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