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RN1311	文件：162.16 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment. • Various resistance values are available to suit various circuit designs. • Complem 文件：162.16 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1311	文件：268.3 Kbytes Page：5 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：268.3 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1311	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2311\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN1311,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN1311,LXHF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：AUTO AEC-Q SINGLE NPN , R1=10KOH	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Package name：
SOT-323 (USM)
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多RN1311供应商更新时间2025-10-8 10:31:00

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