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RN1130MFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2130MFV\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN1130MFV	文件：151.63 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications  Ultra-small package, suited to very high density mounting  Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so enabling the manufacture of ever mor 文件：151.63 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1130MFV,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RRC1130	文件：296.72 Kbytes Page：3 Pages	Standard Battery Pack Li-Ion 文件：296.72 Kbytes 页数：3 Pages	RRC	RRC
RRC-SCC1130	文件：191.08 Kbytes Page：3 Pages	Standard battery charger 文件：191.08 Kbytes 页数：3 Pages	RRC	RRC
RRC-SCC1130	文件：296.72 Kbytes Page：3 Pages	Standard Battery Pack Li-Ion 文件：296.72 Kbytes 页数：3 Pages	RRC	RRC

技术参数

Package name：
SOT-723 (VESM)
Width×Length×Height(mm)：
1.2 x 1.2 x 0.5
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
100
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
100
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多RN1130MFV供应商更新时间2025-12-1 16:49:00

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