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RN1118MFV

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

SwitchingApplications InverterCircuitApplications InterfaceCircuitApplications DriverCircuitApplications Withbuilt-inbiasresistors Simplifycircuitdesign Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ComplementarytoRN2114MFVtoRN2118MFV

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

RN1118MFV,L3F

Package:SOT-723;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

SC1118

1A(Sink&Source)LowDropout,LowQuiescentCurrentVoltageRegulator

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SL1118

AdjustableorFixed-ModeRegulator

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SMTC-1118

SolderingToolsandEquipmentforElectronicsAssembly

METCAL

Metcal

SPA-1118

850MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias

ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-1118isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc

SIRENZA

SIRENZA MICRODEVICES

SPA1118Z

850MHz1WATTPOWERAMPLIFIERWITHACTIVEBIAS

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

SPA-1118Z

850MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias

ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-1118isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc

SIRENZA

SIRENZA MICRODEVICES

SPA1118ZSQ

850MHz1WATTPOWERAMPLIFIERWITHACTIVEBIAS

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

SPA1118ZSR

850MHz1WATTPOWERAMPLIFIERWITHACTIVEBIAS

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

详细参数

  • 型号:

    RN1118MFV

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
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SOT-923
35689
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SOT-723VESM
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更多RN1118MFV供应商 更新时间2025-7-24 14:31:00