RN1115MFV数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

厂商型号 |
RN1115MFV |
参数属性 | RN1115MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
封装外壳 | SOT-723 |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-14 23:01:00 |
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RN1115MFV规格书详情
描述 Description
Application Scope:General-purpose
Polarity:NPN
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN2115MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V
技术参数
- 制造商编号
:RN1115MFV
- 生产厂家
:Toshiba
- Package name
:SOT-723 (VESM)
- Width×Length×Height(mm)
:1.2 x 1.2 x 0.5
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:Y
- Polarity
:NPN
- Internal Connection
:Single
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)
:2.2
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)
:10
- Q1VCEO (Max)(V)
:50
- Q1IC (Max)(A)
:0.1
- AEC-Q101
:Qualified(*)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
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