RN1109MFV数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
RN1109MFV |
| 参数属性 | RN1109MFV 封装/外壳为SOT-723；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| 功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-14 23:01:00 |
| 人工找货 | RN1109MFV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN1109MFV规格书详情
描述 Description
Application Scope：General-purpose
Polarity：NPN
Internal Connection：Single
Complementary Product：RN2109MFV
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V
技术参数
- 制造商编号
：RN1109MFV
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name
：SOT-723 (VESM)
- Width×Length×Height(mm)
：1.2 x 1.2 x 0.5
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Polarity
：NPN
- Internal Connection
：Single
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)
：47
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)
：22
- Q1VCEO (Max)(V)
：50
- Q1IC (Max)(A)
：0.1
- AEC-Q101
：Qualified(*)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
280000 |
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TOSHIBA |
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SOT-523 |
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