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RN1113MFV数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

RN1113MFV

参数属性

RN1113MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封装外壳

SOT-723

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-14 20:20:00

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RN1113MFV规格书详情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:NPN
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN2113MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V

技术参数

  • 制造商编号

    :RN1113MFV

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name

    :SOT-723 (VESM)

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.2 x 1.2 x 0.5

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Polarity

    :NPN

  • Internal Connection

    :Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)

    :47

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)

    :Infinity

  • Q1VCEO (Max)(V)

    :50

  • Q1IC (Max)(A)

    :0.1

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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SOT723
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