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RN1113CT数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

RN1113CT

参数属性

RN1113CT 封装/外壳为SC-101,SOT-883;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封装外壳

SC-101,SOT-883

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-14 20:20:00

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RN1113CT规格书详情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:NPN
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN2113CT
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Collector Current IC 0.05 A
Collector-emitter voltage VCEO 20 V

技术参数

  • 产品编号:

    RN1113CT(TPL3)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-101,SOT-883

  • 供应商器件封装:

    CST3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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