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RN1111MFV分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

RN1111MFV

参数属性

RN1111MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)

封装外壳

SOT-723

文件大小

361.91 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 23:01:00

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RN1111MFV规格书详情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

 Ultra-small package, suited to very high density mounting

 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so

enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly

cost.

 A wide range of resistor values is available for use in various circuits.

 Complementary to the RN2110MFV, RN2111MFV

产品属性

  • 产品编号:

    RN1111MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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