RN1111MFV分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN1111MFV |
| 参数属性 | RN1111MFV 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor) |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
361.91 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 10:11:00 |
| 人工找货 | RN1111MFV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN1111MFV规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so
enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly
cost.
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN2110MFV, RN2111MFV
产品属性
- 产品编号：
RN1111MFV,L3F
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VESM
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
SOD723-2 |
598000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
63000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-723 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
200000 |
询价 | |||
TOSHIBA |
25+23+ |
New |
32891 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
TOS |
1923+ |
NA |
9200 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
NA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
SOT-423 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT423 |
8560 |
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询价 |
